我妈家里的三花色小母猫第一次生崽，国家规划就是这样黏在她脚边的，任谁都不能把它挪走。
近两年，局官韩琳教授及其研究团队在新型电子材料器件、生物医学及其前沿交叉应用领域取得一系列进展。相关结果以LowLatticeMismatchInSe–SeVerticalVanderWaalsHeterostructureforHigh-performanceTransistorsviaStrongFermi-LevelDepinning为题，员解发表于微尺度领域权威期刊《SmallMethods》上（即时影响因子预测12.5-15），员解并被邀请为封面文章（Cover），山东大学为独立通讯单位，韩琳教授和刘宏教授为通讯作者，山东大学硕士研究生姜建峰、中科院物理所研究生孟繁琪、济南大学研究生程琦琳和讲师王爱珠为共同第一作者。
近日，读电山东大学韩琳教授课题组在新型电子材料器件领域取得新进展，读电研究人员采用低晶格失配（1.1%）的Se与InSe的垂直范德华异质结来改善金属半导体接触界面条件，可以有效的避免直接金属化带来的化学无序及费米钉扎效应。Se层不仅可以防止在InSe表面直接蒸镀金属导致的破坏，国家规划还可以对InSe进行封装以提高器件的稳定性，国家规划超薄层Se的存在能够有效的避免界面的费米钉扎效应。直接蒸镀金属的过程引起了2D半导体材料表面的掺杂和损害，局官导致了接触界面的化学无序和费米钉扎。
目前国际上针对高性能的二维电子器件来说，员解最核心的难点就是金属与二维半导体材料之间的接触问题，员解特别是在低的工作电压范围和短沟道的器件中，它极大的阻碍了本征半导体材料高性能的发挥，这是电子器件的性能远低于其理论值主要因素之一。读电因此需要一种更加简便有效的策略去改善接触条件以提高二维电子器件的性能。
相关研究工作得到了国家重点研发项目、国家规划国家自然科学基金项目、国家规划山东省杰出青年基金项目、山东省重大科技创新工程、山东大学齐鲁青年学者、山东大学青年交叉科学创新群体等项目的支持。
包括：局官低功率氮等离子体快速修复本征缺陷的高性能二电子器件（Small,2019,1901791.正封底文章，局官IF:10.856），基于微流控技术的单细胞分析（Small,2019,1905001.封面文章，IF:10.856），针对神经信号进行实时原位检测的高稳定性的新型电子器件（npj2DMateriualsandApplications,2019,3,29.Nature旗下，2019即时预测影响因子7.5-10），基于压电子学效应的高灵敏的二维压力传感器（NanoEnergy,2020,70,1044457.IF:15.548）等高水平成果。员解你想必想到了漫威宇宙的《雷神》系列吧。
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